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AP物理C電磁學(xué)知識(shí)點(diǎn)分析,各考點(diǎn)考試分?jǐn)?shù)占比是多少?

 

  AP物理C電磁學(xué)是高級(jí)AP物理課程,學(xué)生需要具有物理C力學(xué)以及微積分的基礎(chǔ),課程涵蓋靜電學(xué)、導(dǎo)體、電容器和介質(zhì)、電路、磁場(chǎng)和電磁學(xué)等。今天A+國(guó)際教育小編就為大家講講AP物理C電磁學(xué)知識(shí)點(diǎn)以及考試分?jǐn)?shù)占比情況,一起來(lái)了解一下吧。


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AP物理C電磁學(xué)知識(shí)點(diǎn)


  1Electricity andMagnetism電磁學(xué),要占100%


  A.Electrostatics


  (靜電學(xué)占30%)


  1.Charge and Coulomb’s law


  富蘭克林是如何冒著生命的危險(xiǎn)連接閃電的電荷,得到了正負(fù)的概念。庫(kù)倫定律F=kq1q2/r2,貌似牛頓的萬(wàn)有引力(仍然是平方反比定律,但是把質(zhì)量換成了電荷數(shù)),到目前為止,自然界發(fā)現(xiàn)的遠(yuǎn)距相互作用,都是和距離的平方成反比的,費(fèi)曼曾經(jīng)想討論這里面有什么必然聯(lián)系?但沒(méi)有結(jié)果


  2.Electric field and electricpotential(including point charges)


  (電場(chǎng)的概念E=F/q,單位正電荷受到的電場(chǎng)力,即為電場(chǎng)強(qiáng)度E的定義,要牢記。電場(chǎng)因?yàn)楹鸵?chǎng)一樣,同樣遵守距離的平方反比律,同樣也是保守力場(chǎng),可以有勢(shì)能的概念U=kq1q2/r(點(diǎn)電荷q2在點(diǎn)電荷q1場(chǎng)中的勢(shì)能)


  電壓的概念,就是單位正電荷在兩點(diǎn)之間的電勢(shì)差,注意單位正電荷從1到2的電勢(shì)差一般寫(xiě)為V=V1-V2,沒(méi)有在V之前寫(xiě)Δ是因?yàn)棣ひ话阍谖锢砩媳硎灸B(tài)減初態(tài),而電勢(shì)差不是)


  3.高斯定律


  (電場(chǎng)強(qiáng)度延一個(gè)封閉球面積分,等于這個(gè)球面包括的電荷總數(shù)除以真空介電常數(shù))


  4.幾種電荷分布的電場(chǎng)和電勢(shì)


  AP物理C愛(ài)考的是幾種對(duì)稱(chēng)分布,比如:球形、柱形、平板型,在求積分的時(shí)候不僅會(huì)用到直角坐標(biāo)系,也會(huì)用到球坐標(biāo)系和柱坐標(biāo)系更方便。


  B.Conductors,capacitors,dielectrics


  (導(dǎo)體,電容和絕緣體的概念占14%)


  1.Electrostatics with conductors


  靜電中的導(dǎo)體,表面一定是電場(chǎng)等勢(shì)面,否則就會(huì)造成自由電子的流動(dòng),直到靜電平衡為止


  2.Capacitors(電容器)


  a.Capacitance電容的概念,儲(chǔ)存靜電能量Uc=1/2*QV=1/2*CV2


  b.Parallel plate平板電容器:兩塊平行導(dǎo)體版,面積為A,各帶等量電荷Q,正負(fù)相反,中間是絕緣體(dielectrics)距離是d,兩板之間電勢(shì)差為V,其電容為C=Q/V=ε0A/d,ε0為真空介電常數(shù)


  c.Spherical andcylindrical球形和柱形的電容器


  3.dielectrics


  絕緣體的概念,其中的電場(chǎng)和電荷分布特點(diǎn)


  C.Electric circuits


  (電路占20%)


  1.Current,resistance,power


  電流強(qiáng)度的概念:I=ΔQ/Δt


  電阻的概念:R=ρL/A;ρ為電阻率,L為導(dǎo)線長(zhǎng)度,A為導(dǎo)線橫截面積


  歐姆定律:I=V/R,電功率P=IV=I2R


  2.Steady-state direct current circuitswith batteries and resistors only


  帶電池和電阻的直流電路分析,并聯(lián)和串聯(lián)


  3.Capacitors in circuits


  電路中的電容器


  a.Steady state(在直流電路中的電容器,并聯(lián)與串聯(lián),算出等效電容)


  b.Transients in RCcircuits(RC電路的瞬間狀態(tài),求解其微分方程)


  D.Magnetic Fields


  (磁場(chǎng)占20%)


  1.Forces on moving charges inmagnetic fields


  以V運(yùn)動(dòng)電荷q在磁場(chǎng)B中的受力,洛倫茨力:F=qV×B


  (注意在本日志中公式中加重寫(xiě)的字母一般都代表矢量)


  2.Forces on current-carrying wires inmagnetic fields


  電流線在磁場(chǎng)中的受力:F=IL×B,L為導(dǎo)線長(zhǎng)度,其矢量方向取I的方向


  3.Fields of long current-carryingwires


  無(wú)限長(zhǎng)直流導(dǎo)線I的磁場(chǎng):B=μ0I/2πr;μ0為真空磁導(dǎo)率,r為距離導(dǎo)線的垂直距離


  4.Biot–Savartlaw and Ampere’s law


  畢奧-薩法爾定律和安培定律,求解螺線管或其它對(duì)稱(chēng)的電流情況的磁場(chǎng)


  E.Electromagnetism


  (電磁場(chǎng)占16%)


  1.Electromagnetic induction(including Faraday’s law and Lenz’s law)


  法拉第電磁感應(yīng)定律:線圈中的感生電動(dòng)勢(shì),與穿過(guò)線圈的磁通量隨時(shí)間的變化率成正比:ε=-ΔΦ/Δt,負(fù)號(hào)的物理意義由楞次定律解釋?zhuān)龋焊猩妱?dòng)勢(shì)產(chǎn)生的磁通變化率,和原來(lái)產(chǎn)生感生電動(dòng)勢(shì)的磁通變化率要相反,這是能量守恒的要求,和牛頓第三定律的要求是同源的


  2.Inductance(including LR and LCcircuits)


  LC和LR電路的感生電磁場(chǎng)


  3.Maxwell’sequations


  麥克斯韋方程組,包絡(luò)面積分,電場(chǎng)和磁場(chǎng)的區(qū)別是有電荷沒(méi)有磁單極,環(huán)路積分,電場(chǎng)和磁場(chǎng)的區(qū)別是有電流沒(méi)有磁荷流,但是變化的電場(chǎng)和磁場(chǎng)都會(huì)產(chǎn)生磁通量和電通量的變化,這也就是所謂電磁互感,由麥克斯韋方程組直接能推倒出電磁波的存在,速度和光速相同。


  下面總結(jié)一下:


  麥克斯韋方程組不外乎“泡泡”和“圈圈”(延包絡(luò)面積分和延閉合圈積分):


  電場(chǎng)沿泡泡積分:∮E·dS=ΣQi/ε0;(正比于于泡泡包圍的電荷)


  磁場(chǎng)沿泡泡積分:∮B·dS=0;(沒(méi)有磁單極)


  電場(chǎng)沿圈圈積分:∮E·dl=-dφ/dt;(其中磁通量φ=B·ΔS,重寫(xiě)符號(hào)一律表示矢量)


  磁場(chǎng)沿圈圈積分:∮B·dL=Σμ0I+μ0ε0dΦ/dt;(第二項(xiàng)為位移電流,正比于電通量的變化率)


  以上就是A+小編關(guān)于AP物理C電磁學(xué)知識(shí)點(diǎn)的總結(jié),大家可以收藏起來(lái)作為日后考試備考中的一個(gè)參考。如果在學(xué)習(xí)上還有什么疑問(wèn),歡迎隨時(shí)咨詢(xún)我們!

 

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